Справочник MOSFET. AP1203AGMT-HF

 

AP1203AGMT-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP1203AGMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6

 Аналог (замена) для AP1203AGMT-HF

 

 

AP1203AGMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  ape
 ap1203agmt-hf.pdf

AP1203AGMT-HF AP1203AGMT-HF

AP1203AGMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 12m Low On-resistance ID 37AG RoHS CompliantSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

 8.1. Size:95K  ape
 ap1203gh.pdf

AP1203AGMT-HF AP1203AGMT-HF

AP1203GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 37AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)ruggedized device desi

 8.2. Size:199K  ape
 ap1203gm.pdf

AP1203AGMT-HF AP1203AGMT-HF

AP1203GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 12mD Fast Switching Characteristic ID 11.2AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device de

 9.1. Size:1631K  allpower
 ap120n03k.pdf

AP1203AGMT-HF AP1203AGMT-HF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top