Справочник MOSFET. AP1332GEU-HF

 

AP1332GEU-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1332GEU-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1332GEU-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  ape
ap1332geu-hf.pdfpdf_icon

AP1332GEU-HF

AP1332GEU-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 20VD Simple Gate Drive RDS(ON) 600m Small Package Outline ID 600mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-323GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, low on-res

 5.1. Size:134K  ape
ap1332geu.pdfpdf_icon

AP1332GEU-HF

AP1332GEU-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 20VD Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 0.6 Small Package Outline ID3 600mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-323GDescriptionAP1332 series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the

 6.1. Size:58K  ape
ap1332gev-hf.pdfpdf_icon

AP1332GEU-HF

AP1332GEV-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 20VD Gate Pateded Diode RDS(ON) 0.9 Small Package Outline ID 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSC-75GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, low on-re

 9.1. Size:57K  ape
ap1334geu-hf.pdfpdf_icon

AP1332GEU-HF

AP1334GEU-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 20VD Capable of 1.8V Gate Drive RDS(ON) 50m Optimal DC/DC Battery Application ID 2.1AS Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-323GDDescriptionAP1334 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process tech

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RTE002P02 | MC11N005 | SHD280504 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.