AP18P10GI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP18P10GI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 32 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP18P10GI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18P10GI даташит

 ..1. Size:153K  ape
 ap18p10gi.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GI RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -12A G D TO-220CFM(I) S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 6.1. Size:174K  ape
 ap18p10gh.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D ruggedized device design, low on-r

 6.2. Size:169K  ape
 ap18p10gm.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m D Fast Switching Characteristic ID -2.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description AP18P10 series are

 6.3. Size:172K  ape
 ap18p10gk.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m S Fast Switching Characteristic ID -3.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G D Description AP18P10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP18N20GJ-HF, AP18N20GP-HF, AP18N20GS-HF, AP18N50W, AP18P10AGH-HF, AP18P10AGJ-HF, AP18P10GH, AP18P10GJ, K2611, AP18P10GK-HF, AP18P10GM-HF, AP18P10GS, AP18T10AGH-HF, AP18T10AGJ-HF, AP18T10AGK-HF, AP18T10GH-HF, AP18T10GI