Справочник MOSFET. AP18P10GI

 

AP18P10GI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP18P10GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 32 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP18P10GI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18P10GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  ape
 ap18p10gi.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GIRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 160m Fast Switching Characteristic ID -12AGDTO-220CFM(I)SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized devicedesi

 6.1. Size:174K  ape
 ap18p10gh.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-r

 6.2. Size:169K  ape
 ap18p10gm.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 180mD Fast Switching Characteristic ID -2.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP18P10 series are

 6.3. Size:172K  ape
 ap18p10gk.pdf pdf_icon

AP18P10GI

AP18P10GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 160mS Fast Switching Characteristic ID -3.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP18P10 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP18N20GJ-HF , AP18N20GP-HF , AP18N20GS-HF , AP18N50W , AP18P10AGH-HF , AP18P10AGJ-HF , AP18P10GH , AP18P10GJ , IRF9640 , AP18P10GK-HF , AP18P10GM-HF , AP18P10GS , AP18T10AGH-HF , AP18T10AGJ-HF , AP18T10AGK-HF , AP18T10GH-HF , AP18T10GI .

History: PJP2NA60 | UPA2770GR | AP18T10GP

 

 
Back to Top

 


 
.