Справочник MOSFET. AP1R803GMT-HF

 

AP1R803GMT-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP1R803GMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6

 Аналог (замена) для AP1R803GMT-HF

 

 

AP1R803GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap1r803gmt-hf.pdf

AP1R803GMT-HF AP1R803GMT-HF

AP1R803GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.9m Low On-resistance ID 170AG RoHS CompliantSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top