Справочник MOSFET. AP1R803GMT-HF

 

AP1R803GMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1R803GMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP1R803GMT-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1R803GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap1r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP1R803GMT-HF

AP1R803GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.9m Low On-resistance ID 170AG RoHS CompliantSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugge

Другие MOSFET... AP18T10AGK-HF , AP18T10GH-HF , AP18T10GI , AP18T10GJ-HF , AP18T10GM-HF , AP18T10GP , AP18T20GH-HF , AP18T20GI-HF , 20N60 , AP1RA03GMT-HF , AP1RC03GMT-HF , 2SK357 , 2SK359 , 2SK360 , 2SK3611 , 2SK3614 , 2SK3656 .

History: BUK6E4R0-75C

 

 
Back to Top

 


 
.