AP1R803GMT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP1R803GMT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP1R803GMT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1R803GMT-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap1r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP1R803GMT-HF

AP1R803GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.9m Low On-resistance ID 170A G RoHS Compliant S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

Другие IGBT... AP18T10AGK-HF, AP18T10GH-HF, AP18T10GI, AP18T10GJ-HF, AP18T10GM-HF, AP18T10GP, AP18T20GH-HF, AP18T20GI-HF, 20N60, AP1RA03GMT-HF, AP1RC03GMT-HF, 2SK357, 2SK359, 2SK360, 2SK3611, 2SK3614, 2SK3656