AP22N13GH-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP22N13GH-HF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 135 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP22N13GH-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP22N13GH-HF даташит

 ..1. Size:119K  ape
 ap22n13gh-hf.pdf pdf_icon

AP22N13GH-HF

AP22N13GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 135V Lower On-resistance RDS(ON) 75m Fast Switching Characteristic ID 22.4A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description AP22N13 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to

Другие IGBT... AP20N15GH-HF, AP20N15GI-HF, AP20T03GH-HF, AP20T03GJ-HF, AP20T03GT-HF, AP20T15GH-HF, AP20T15GI-HF, AP20T15GP-HF, P55NF06, AP22T03GH-HF, AP2301AGN-HF, AP2301BGN-HF, AP2301GN-HF, AP2301N-HF, AP2302AGN-HF, AP2302GN-HF, AP2303GN-HF