Справочник MOSFET. AP22N13GH-HF

 

AP22N13GH-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP22N13GH-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 135 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 40 ns

Выходная емкость (Cd): 280 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP22N13GH-HF

 

 

AP22N13GH-HF Datasheet (PDF)

1.1. ap22n13gh-hf.pdf Size:119K _a-power

AP22N13GH-HF
AP22N13GH-HF

AP22N13GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Ў Simple Drive Requirement BVDSS 135V Ў Lower On-resistance RDS(ON) 75m? Ў Fast Switching Characteristic ID 22.4A G Ў Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description AP22N13 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to achieve

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top