AP22N13GH-HF - описание и поиск аналогов

 

AP22N13GH-HF - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP22N13GH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP22N13GH-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP22N13GH-HF технические параметры

 ..1. Size:119K  ape
 ap22n13gh-hf.pdf pdf_icon

AP22N13GH-HF

AP22N13GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 135V Lower On-resistance RDS(ON) 75m Fast Switching Characteristic ID 22.4A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description AP22N13 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to

Другие MOSFET... AP20N15GH-HF , AP20N15GI-HF , AP20T03GH-HF , AP20T03GJ-HF , AP20T03GT-HF , AP20T15GH-HF , AP20T15GI-HF , AP20T15GP-HF , K4145 , AP22T03GH-HF , AP2301AGN-HF , AP2301BGN-HF , AP2301GN-HF , AP2301N-HF , AP2302AGN-HF , AP2302GN-HF , AP2303GN-HF .

 

 
Back to Top

 


 
.