AP22N13GH-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP22N13GH-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
trⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP22N13GH-HF
AP22N13GH-HF Datasheet (PDF)
ap22n13gh-hf.pdf
AP22N13GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 135V Lower On-resistance RDS(ON) 75m Fast Switching Characteristic ID 22.4AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAP22N13 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918