Справочник MOSFET. AP2301BGN-HF

 

AP2301BGN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2301BGN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2301BGN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
ap2301bgn-hf.pdfpdf_icon

AP2301BGN-HF

AP2301BGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 130mD Surface Mount Device ID - 2.8A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 8.1. Size:93K  ape
ap2301agn.pdfpdf_icon

AP2301BGN-HF

AP2301AGNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 97mD Surface Mount Device ID - 3.3ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and cost-effec

 8.2. Size:56K  ape
ap2301agn-hf.pdfpdf_icon

AP2301BGN-HF

AP2301AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 97m Surface Mount Device ID - 3.3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast switching,l

 8.3. Size:93K  ape
ap2301gn.pdfpdf_icon

AP2301BGN-HF

AP2301GNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 130mD Surface Mount Device ID - 2.6ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and cost-effec

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFTS9342 | NTLUS4C12N | 2SK3572-Z | SW4N60B | DMN7022LFGQ | TPCC8103 | ZVP0545GTA

 

 
Back to Top

 


 
.