Справочник MOSFET. AP2305AGN-HF

 

AP2305AGN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2305AGN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2305AGN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  ape
ap2305agn-hf.pdfpdf_icon

AP2305AGN-HF

AP2305AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 80mD Surface Mount Device ID - 3.2A RoHS CompliantSSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, low on-resistan

 5.1. Size:59K  ape
ap2305agn.pdfpdf_icon

AP2305AGN-HF

AP2305AGNPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 80mD Surface Mount Device ID - 3.2ASSOT-23GDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G, low on-resistance and cos

 5.2. Size:866K  cn vbsemi
ap2305agn.pdfpdf_icon

AP2305AGN-HF

AP2305AGNwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-2

 8.1. Size:57K  ape
ap2305cgn-hf.pdfpdf_icon

AP2305AGN-HF

AP2305CGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 85m Surface Mount Device ID - 3.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching,l

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1059-Z | BLM9926 | IRF3007S | AOT600A60L | DMG5802LFX | STP150N10F7 | 2SK2232

 

 
Back to Top

 


 
.