AP2306AGEN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2306AGEN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2306AGEN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2306AGEN-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap2306agen-hf.pdf pdf_icon

AP2306AGEN-HF

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

 4.1. Size:179K  ape
 ap2306agen.pdf pdf_icon

AP2306AGEN-HF

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

 6.1. Size:69K  ape
 ap2306agn.pdf pdf_icon

AP2306AGEN-HF

AP2306AGN Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V Lower on-resistance D RDS(ON) 35m Surface mount package ID 5A S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible

 6.2. Size:106K  ape
 ap2306agn-hf.pdf pdf_icon

AP2306AGEN-HF

AP2306AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V Lower on-resistance D RDS(ON) 35m Surface mount package ID 5A RoHS Compliant S D SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible on-resistance, extreme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2303GN-HF, AP2304AGN-HF, AP2304GN-HF, AP2305AGN-HF, AP2305BGN-HF, AP2305CGN-HF, AP2305GN-HF, AP2305N-HF, BS170, AP2306AGN-HF, AP2306CGN-HF, AP2306CGTN-HF, AP2306GN-HF, AP2307GN-HF, 2SK3779-01R, 2SK3793, 2SK3794