AP2306CGTN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2306CGTN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSOT23

Аналог (замена) для AP2306CGTN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2306CGTN-HF даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap2306cgtn-hf.pdf pdf_icon

AP2306CGTN-HF

AP2306CGTN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower On-resistance RDS(ON) 30m Surface Mount Package ID 5.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free TSOT-23 G D Description AP2306C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve t

 6.1. Size:93K  ape
 ap2306cgn-hf.pdf pdf_icon

AP2306CGTN-HF

AP2306CGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Lower on-resistance RDS(ON) 30m D Surface mount package ID 5.5A RoHS Compliant S D SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to G achieve the lowest possible on-resistance, extr

 8.1. Size:95K  ape
 ap2306agen-hf.pdf pdf_icon

AP2306CGTN-HF

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

 8.2. Size:179K  ape
 ap2306agen.pdf pdf_icon

AP2306CGTN-HF

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2305AGN-HF, AP2305BGN-HF, AP2305CGN-HF, AP2305GN-HF, AP2305N-HF, AP2306AGEN-HF, AP2306AGN-HF, AP2306CGN-HF, IRF1407, AP2306GN-HF, AP2307GN-HF, 2SK3779-01R, 2SK3793, 2SK3794, 2SK3794-Z, 2SK385, 2SK386