2SK3936. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3936

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SC65

Аналог (замена) для 2SK3936

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3936 даташит

 ..1. Size:180K  toshiba
 2sk3936.pdf pdf_icon

2SK3936

2SK3936 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MACH II -MOS VI) 2SK3936 Switching Regulator Applications Unit mm Small gate charge Qg = 60 nC (typ.) Fast reverse recovery time trr = 380 ns (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.2 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 16.5 S (typ.) Low leakage current IDS

 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk3936.pdf pdf_icon

2SK3936

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3936 FEATURES Drain Current I = 23A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 250m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 8.1. Size:288K  toshiba
 2sk3934.pdf pdf_icon

2SK3936

2SK3934 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK3934 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.23 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement model Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maxim

 8.2. Size:313K  toshiba
 2sk3935.pdf pdf_icon

2SK3936

2SK3935 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK3935 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.18 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 10 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement model Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3864, 2SK3868, 2SK3879, 2SK389, 2SK3906, 2SK3929-01MR, 2SK3931-01, 2SK3932-01MR, IRFB31N20D, AP2308GEN-HF, AP2309AGN-HF, AP2309GEN-HF, AP2309GN-HF, AP2310AGN-HF, AP2310CGN-HF, AP2310GG-HF, AP2310GK-HF