Справочник MOSFET. AP2308GEN-HF

 

AP2308GEN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2308GEN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2308GEN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
ap2308gen-hf.pdfpdf_icon

AP2308GEN-HF

AP2308GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 600m Fast Switching Performance ID 1.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible

 5.1. Size:146K  ape
ap2308gen.pdfpdf_icon

AP2308GEN-HF

AP2308GENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 600m Fast Switching Performance ID 1.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible on

 6.1. Size:864K  cn vbsemi
ap2308ge.pdfpdf_icon

AP2308GEN-HF

AP2308GEwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Conve

 9.1. Size:96K  ape
ap2302gn-hf.pdfpdf_icon

AP2308GEN-HF

AP2302GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS CompliantSSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dlow on-resistanc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.