AP2317GN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2317GN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2317GN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2317GN-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap2317gn-hf.pdf pdf_icon

AP2317GN-HF

AP2317GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m D Surface Mount Device ID - 4.2A RoHS Compliant S SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G low on-resist

 8.1. Size:738K  allpower
 ap2317sd.pdf pdf_icon

AP2317GN-HF

 8.2. Size:2140K  allpower
 ap2317qd.pdf pdf_icon

AP2317GN-HF

 8.3. Size:2119K  allpower
 ap2317a.pdf pdf_icon

AP2317GN-HF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2310GN-HF, AP2311GK-HF, AP2311GN-HF, AP2312GN, AP2313GN-HF, AP2314GN-HF, AP2315GEN, AP2316GN-HF, 60N06, AP2318AGEN-HF, AP2318GEN-HF, AP2319GN-HF, AP2321GN-HF, AP2323GN-HF, AP2324GN-HF, AP2325GEN-HF, AP2326GN-HF