AP2330GN-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2330GN-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2330GN-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2330GN-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap2330gn-hf.pdf pdf_icon

AP2330GN-HF

AP2330GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 90V Small Package Outline RDS(ON) 240m Surface Mount Device ID 1.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S achieve the lowest possible on-resistance,

 6.1. Size:175K  ape
 ap2330gn.pdf pdf_icon

AP2330GN-HF

AP2330GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 90V Small Package Outline RDS(ON) 240m Surface Mount Device ID 1.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description AP2330 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest pos

 9.1. Size:93K  ape
 ap2336gn-hf.pdf pdf_icon

AP2330GN-HF

AP2336GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, ext

 9.2. Size:177K  ape
 ap2338gn.pdf pdf_icon

AP2330GN-HF

AP2338GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 5A S Halogen Free & RoHS Compliant Product SOT-23 G D Description AP2338 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2321GN-HF, AP2323GN-HF, AP2324GN-HF, AP2325GEN-HF, AP2326GN-HF, AP2327GN-HF, AP2328GN-HF, AP2329GN-HF, IRFP460, AP2331GN-HF, AP2332GEN-HF, AP2332GN-HF, AP2334GN-HF, AP2338GN-HF, AP2342GK-HF, AP2344GEN-HF, AP2344GN-HF