Справочник MOSFET. AP2348GN-HF

 

AP2348GN-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2348GN-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2348GN-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ape
 ap2348gn-hf.pdf pdf_icon

AP2348GN-HF

AP2348GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Small Package Outline RDS(ON) 300m Surface Mount Device ID 1.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionAP2348 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

 9.1. Size:57K  ape
 ap2344gen-hf.pdf pdf_icon

AP2348GN-HF

AP2344GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 23m Fast Switching Performance ID 6.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2344 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achiev

 9.2. Size:55K  ape
 ap2346gn-hf.pdf pdf_icon

AP2348GN-HF

AP2346GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 21m Fast Switching Performance ID 6.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAP2346 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve th

 9.3. Size:61K  ape
 ap2342gk-hf.pdf pdf_icon

AP2348GN-HF

AP2342GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 2S Fast Switching Characteristic ID 590mAD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGbest combination of fast swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N60G-TF3T-T | NTMFS08N003C | 30N06G-TF2-T | SIHFZ48R | GP2M023A050N | AM7333PE | IRFR3709ZT

 

 
Back to Top

 


 
.