FK20SM-9 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FK20SM-9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO3P
FK20SM-9 Datasheet (PDF)
fk20sm-10.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FK20SM-10FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 360m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Другие MOSFET... FK18SM-10 , FK18SM-12 , FK18SM-9 , FK20KM-5 , FK20KM-6 , FK20SM-10 , FK20SM-5 , FK20SM-6 , IRF740 , FK20UM-5 , FK20UM-6 , FK20VS-5 , FK20VS-6 , FK25SM-5 , FK25SM-6 , FK30SM-5 , FK30SM-6 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918