2SK404. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK404

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 2 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: SPA

Аналог (замена) для 2SK404

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK404 даташит

 ..1. Size:78K  sanyo
2sk404.pdfpdf_icon

2SK404

Ordering number EN1403A N-Channel Junction Silicon FET 2SK404 HF Amplifier, AF Amplifier Applications Features Package Dimensions Large yfs . unit mm Low noise. 2034A Small Crss. [2SK404] 2.2 4.0 0.4 0.5 0.4 0.4 1 2 3 1 Source 1.3 1.3 2 Gate 3 Drain 3.0 SANYO SPA 3.8nom Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Con

 0.1. Size:239K  toshiba
2sk4042.pdfpdf_icon

2SK404

2SK4042 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK4042 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.7 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.5S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum

 0.2. Size:254K  sanyo
2sk4043ls.pdfpdf_icon

2SK404

Ordering number EN8642 2SK4043LS N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK4043LS Applications Features Low ON-resistance. 2.5V drive. Avalanche resistance guarantee. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID

 0.3. Size:530K  fuji
2sk4047-01s.pdfpdf_icon

2SK404

http //www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/index.html 2SK4047-01S Automotive FUJI POWER MOSFET Trench Power MOSFET (2nd Gen.) series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance Low switching loss Drain (D) 100% avalanche tested Gate (G) Applications Source (S) Automoti

Другие IGBT... AP2348GN-HF, AP2422GY, AP2426GEY-HF, AP2428GEY, AP2428GN3, AP2430GN3-HF, AP2434GN3-HF, 2SK4037, 7N65, 2SK4042, 2SK410, 2SK413, 2SK414, 2SK415, 2SK416L, 2SK416S, 2SK417