AP2530AGY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2530AGY-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3(2.3) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5(8) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072(0.15) Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для AP2530AGY-HF
AP2530AGY-HF Datasheet (PDF)
ap2530agy-hf.pdf

AP2530AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced pr
ap2530agy.pdf

AP2530AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced pr
ap2530gy.pdf

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig
ap2530gy-hf.pdf

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing
Другие MOSFET... 2SK410 , 2SK413 , 2SK414 , 2SK415 , 2SK416L , 2SK416S , 2SK417 , AP2451GY-HF , 5N60 , AP2530GY-HF , AP2531GY , AP2532GY , AP2533GY-HF , AP2535GEY-HF , AP25N10GH-HF , AP25N10GJ-HF , AP25N10GP-HF .
History: JCS16N25RC | CJAC50P03 | BRCS080N04ZB | AM20P15-295D | AFP3497 | 2N5245 | AM20N10-250D
History: JCS16N25RC | CJAC50P03 | BRCS080N04ZB | AM20P15-295D | AFP3497 | 2N5245 | AM20N10-250D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet