AP2532GY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP2532GY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4(1.8) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10(9) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70(63) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13(0.25) Ohm
Тип корпуса: SOT26
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP2532GY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2532GY даташит
ap2532gy.pdf
AP2532GY RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V S1 Fast Switching Performance RDS(ON) 130m D1 Surface Mount Package ID 2.4A G2 S2 P-CH BVDSS -30V SOT-26 G1 RDS(ON) 250m Description ID -1.8A Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the
ap2530gy.pdf
AP2530GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V S1 Low On-resistance RDS(ON) 72m D1 Surface Mount Package ID 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V SOT-26 G1 RDS(ON) 150m Description ID -2.3A AP2530 series are from Advanced Power innovated desig
ap2531gy.pdf
AP2531GY RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16V S1 Low On-resistance RDS(ON) 58m D1 Surface Mount Package ID 3.5A G2 S2 P-CH BVDSS -16V SOT-26 G1 RDS(ON) 125m Description ID -2.5A Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the low
ap2531gy-hf.pdf
AP2531GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16V S1 Low On-resistance RDS(ON) 58m D1 Surface Mount Package ID 3.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16V SOT-26 G1 RDS(ON) 125m Description ID -2.5A Advanced Power MOSFETs utilized advanced proces
Другие IGBT... 2SK415, 2SK416L, 2SK416S, 2SK417, AP2451GY-HF, AP2530AGY-HF, AP2530GY-HF, AP2531GY, 13N50, AP2533GY-HF, AP2535GEY-HF, AP25N10GH-HF, AP25N10GJ-HF, AP25N10GP-HF, AP25N10GS-HF, AP25P15GI, AP25P15GS-HF
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AO4832 | AGM150P10S | AGM304A | APM4230K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet










