Справочник MOSFET. AP2532GY

 

AP2532GY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2532GY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4(1.8) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10(9) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(63) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13(0.25) Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2532GY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  ape
ap2532gy.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2532GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 130mD1 Surface Mount Package ID 2.4AG2S2P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 250mDescription ID -1.8AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the

 9.1. Size:189K  ape
ap2530gy.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig

 9.2. Size:120K  ape
ap2531gy.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2531GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the low

 9.3. Size:120K  ape
ap2531gy-hf.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2531GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced proces

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KX6N70 | CHM1503YJGP

 

 
Back to Top

 


 
.