AP2532GY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2532GY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4(1.8) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10(9) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70(63) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13(0.25) Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для AP2532GY
AP2532GY Datasheet (PDF)
ap2532gy.pdf

AP2532GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Fast Switching Performance RDS(ON) 130mD1 Surface Mount Package ID 2.4AG2S2P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 250mDescription ID -1.8AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the
ap2530gy.pdf

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig
ap2531gy.pdf

AP2531GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the low
ap2531gy-hf.pdf

AP2531GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced proces
Другие MOSFET... 2SK415 , 2SK416L , 2SK416S , 2SK417 , AP2451GY-HF , AP2530AGY-HF , AP2530GY-HF , AP2531GY , 8205A , AP2533GY-HF , AP2535GEY-HF , AP25N10GH-HF , AP25N10GJ-HF , AP25N10GP-HF , AP25N10GS-HF , AP25P15GI , AP25P15GS-HF .
History: MS65R120GE | CHM4269PA4GP | BR4N70 | 5N65L-TF1-T | CEM3252L | TDM3452 | HGN195N15S
History: MS65R120GE | CHM4269PA4GP | BR4N70 | 5N65L-TF1-T | CEM3252L | TDM3452 | HGN195N15S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet