AP2532GY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2532GY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4(1.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10(9) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70(63) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13(0.25) Ohm

Тип корпуса: SOT26

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2532GY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2532GY даташит

 ..1. Size:117K  ape
ap2532gy.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2532GY RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V S1 Fast Switching Performance RDS(ON) 130m D1 Surface Mount Package ID 2.4A G2 S2 P-CH BVDSS -30V SOT-26 G1 RDS(ON) 250m Description ID -1.8A Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the

 9.1. Size:189K  ape
ap2530gy.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2530GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V S1 Low On-resistance RDS(ON) 72m D1 Surface Mount Package ID 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V SOT-26 G1 RDS(ON) 150m Description ID -2.3A AP2530 series are from Advanced Power innovated desig

 9.2. Size:120K  ape
ap2531gy.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2531GY RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16V S1 Low On-resistance RDS(ON) 58m D1 Surface Mount Package ID 3.5A G2 S2 P-CH BVDSS -16V SOT-26 G1 RDS(ON) 125m Description ID -2.5A Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the low

 9.3. Size:120K  ape
ap2531gy-hf.pdfpdf_icon

AP2532GY

AP2531GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16V S1 Low On-resistance RDS(ON) 58m D1 Surface Mount Package ID 3.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -16V SOT-26 G1 RDS(ON) 125m Description ID -2.5A Advanced Power MOSFETs utilized advanced proces

Другие IGBT... 2SK415, 2SK416L, 2SK416S, 2SK417, AP2451GY-HF, AP2530AGY-HF, AP2530GY-HF, AP2531GY, 13N50, AP2533GY-HF, AP2535GEY-HF, AP25N10GH-HF, AP25N10GJ-HF, AP25N10GP-HF, AP25N10GS-HF, AP25P15GI, AP25P15GS-HF