Справочник MOSFET. AP2603GY-HF

 

AP2603GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2603GY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2603GY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
ap2603gy-hf.pdfpdf_icon

AP2603GY-HF

AP2603GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS -20VDD Small Package Outline RDS(ON) 65mG Surface Mount Device ID -5ADSOT-26 D RoHS Compliant & Halogen-FreeDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible o

 6.1. Size:60K  ape
ap2603gy.pdfpdf_icon

AP2603GY-HF

AP2603GYPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VSD Small Package Outline RDS(ON) 65mD Surface Mount Device ID -5.0AGDSOT-26 DDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient

 9.1. Size:95K  ape
ap2607agy-hf.pdfpdf_icon

AP2603GY-HF

AP2607AGY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesGto achieve the lowest possible

 9.2. Size:130K  ape
ap2605gy-hf.pdfpdf_icon

AP2603GY-HF

AP2605GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS -30VS Lower Gate Charge RDS(ON) 80mDD Small Footprint & Low Profile Package ID - 4AG RoHS CompliantDSOT-26DDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the lowest possi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TPC8056-H | RAL035P01 | BRCS100N06BD | ME95N03-G | 2SK3075 | TPC65R260M | 2SK417

 

 
Back to Top

 


 
.