AP2607GY-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2607GY-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для AP2607GY-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2607GY-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
ap2607gy-hf.pdfpdf_icon

AP2607GY-HF

AP2607GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S S D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible o

 8.1. Size:95K  ape
ap2607agy-hf.pdfpdf_icon

AP2607GY-HF

AP2607AGY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID -5A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S S D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible

 9.1. Size:130K  ape
ap2605gy-hf.pdfpdf_icon

AP2607GY-HF

AP2605GY-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS -30V S Lower Gate Charge RDS(ON) 80m D D Small Footprint & Low Profile Package ID - 4A G RoHS Compliant D SOT-26 D Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possi

 9.2. Size:115K  ape
ap2609gyt.pdfpdf_icon

AP2607GY-HF

AP2609GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -11.3A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D the best combination of fast switching, ruggedized device de

Другие IGBT... AP2602GY, AP2603GY-HF, AP2604GY-HF, AP2605GY, AP2605GY0-HF, AP2606AGY-HF, AP2606GY-HF, AP2607AGY-HF, IRFP450, AP2608AGK-HF, AP2608AGY-HF, AP2608GY, AP2609GY-HF, AP2609GYT-HF, AP2610GY-HF, AP2611GYT-HF, AP2612GY-HF