Справочник MOSFET. AP2626GY-HF

 

AP2626GY-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2626GY-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2626GY-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2626GY-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
ap2626gy-hf.pdfpdf_icon

AP2626GY-HF

AP2626GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VS1D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 72mG2 Surface mount package ID 3.3AS2SOT-26G1 RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesD2D1to achieve the lo

 6.1. Size:165K  ape
ap2626gy.pdfpdf_icon

AP2626GY-HF

AP2626GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VS1D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 72mG2 Surface mount package ID 3.3AS2SOT-26G1 RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2626 series are from Advanced Power innovatedD2D1design and silicon process techn

 9.1. Size:97K  ape
ap2623gy-hf.pdfpdf_icon

AP2626GY-HF

AP2623GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Low On-resistance RDS(ON) 170mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest poss

 9.2. Size:59K  ape
ap2625gy-hf.pdfpdf_icon

AP2626GY-HF

AP2625GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 185mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest

Другие MOSFET... AP2613GYT-HF , AP2614GY-HF , AP2615GEY-HF , AP2615GY-HF , AP2616GY-HF , AP2622GY-HF , AP2623GY , AP2625GY , AON6380 , AP2732GK , AP2761I-A , AP2761I-H , AP2761I-H-HF , AP2761P-A , AP2761R-A , AP2761S-A-HF , AP2762I-A-HF .

History: IXTP270N04T4 | AONS62922

 

 
Back to Top

 


 
.