AP2RA04GMT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2RA04GMT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP2RA04GMT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2RA04GMT-HF даташит

 ..1. Size:95K  ape
 ap2ra04gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2RA04GMT-HF

AP2RA04GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 2.9m Low On-resistance ID 130A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switchin

Другие IGBT... AP2852GO, AP2864I-A-HF, AP2N7002K-HF, AP2R403AGMT-HF, AP2R403GMT-HF, AP2R803AGMT-HF, AP2R803GH-HF, AP2R803GMT-HF, IRF740, AP30N30W, AP30N30WI, AP30P10GH-HF, AP30P10GI, AP30P10GP-HF, AP30P10GS, AP30T03GH-HF, AP30T10GH-HF