Справочник MOSFET. AP2RA04GMT-HF

 

AP2RA04GMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2RA04GMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP2RA04GMT-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2RA04GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap2ra04gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2RA04GMT-HF

AP2RA04GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 2.9m Low On-resistance ID 130AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the Dbest combination of fast switchin

Другие MOSFET... AP2852GO , AP2864I-A-HF , AP2N7002K-HF , AP2R403AGMT-HF , AP2R403GMT-HF , AP2R803AGMT-HF , AP2R803GH-HF , AP2R803GMT-HF , IRF740 , AP30N30W , AP30N30WI , AP30P10GH-HF , AP30P10GI , AP30P10GP-HF , AP30P10GS , AP30T03GH-HF , AP30T10GH-HF .

History: PTP09N50 | CS1119 | DH1K1N10B | APS04N60H | 2SK2127 | APT22F100J | SI7703EDN

 

 
Back to Top

 


 
.