AP30P10GH-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP30P10GH-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP30P10GH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP30P10GH-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P10GH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
 ap30p10gh-hf.pdf pdf_icon

AP30P10GH-HF

AP30P10GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

 5.1. Size:185K  ape
 ap30p10gh.pdf pdf_icon

AP30P10GH-HF

AP30P10GH-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP30P10 series are from Advanced Power innovat

 6.1. Size:93K  ape
 ap30p10gs.pdf pdf_icon

AP30P10GH-HF

AP30P10GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

 6.2. Size:94K  ape
 ap30p10gs-hf.pdf pdf_icon

AP30P10GH-HF

AP30P10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2R403AGMT-HF , AP2R403GMT-HF , AP2R803AGMT-HF , AP2R803GH-HF , AP2R803GMT-HF , AP2RA04GMT-HF , AP30N30W , AP30N30WI , IRF540 , AP30P10GI , AP30P10GP-HF , AP30P10GS , AP30T03GH-HF , AP30T10GH-HF , AP30T10GI-HF , AP30T10GK-HF , AP30T10GM-HF .

History: CSD17579Q3A | DTM4926 | 4N65G-TMS2-T | 4N65L-TMS2-T | ME7707 | HY4008B6 | ME7707-G

 

 
Back to Top

 


 
.