AP3R303GMT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3R303GMT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.3 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP3R303GMT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3R303GMT-HF даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap3r303gmt-hf.pdf pdf_icon

AP3R303GMT-HF

AP3R303GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.3m Low On-resistance ID 105A G RoHS Compliant S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

 3.1. Size:348K  ape
 ap3r303gmt-l.pdf pdf_icon

AP3R303GMT-HF

AP3R303GMT-L Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.3m Low On-resistance ID5 105A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D AP3R303 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achie

 4.1. Size:191K  ape
 ap3r303gmt.pdf pdf_icon

AP3R303GMT-HF

AP3R303GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.3m Low On-resistance ID5 105A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D AP3R303 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi

Другие IGBT... AP3989I, AP3989P, AP3989R-HF, AP3990I-HF, AP3990P, AP3990R-HF, AP3990S-HF, AP3990W, 4435, AP3R604AGH-HF, AP3R604GH-HF, AP3R604GMT-HF, AP4002H, AP4002I-HF, AP4002J, AP4002P, AP4002S