Справочник MOSFET. AP4002S

 

AP4002S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4002S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4002S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ape
 ap4002p ap4002s.pdf pdf_icon

AP4002S

AP4002S/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowDSTO-263

 8.1. Size:60K  ape
 ap4002h j.pdf pdf_icon

AP4002S

AP4002H/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2AGSDescriptionGAP4002 series are specially designed as chopper regulator, DC/DC converter DSTO-251(J)and power drive application. The APEC MOSFET provid

 8.2. Size:94K  ape
 ap4002i-hf.pdf pdf_icon

AP4002S

AP4002I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4002 series are specially designed as main switching devices forGDSuniversal 90~265VAC off-line AC/DC co

 8.3. Size:107K  ape
 ap4002t.pdf pdf_icon

AP4002S

AP4002TRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristics RDS(ON) 5 Simple Drive Requirement ID 400mAGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient andcost-effec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPA052N08NM5S | NCEP026N10F | IRF4410A | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.