Справочник MOSFET. FRE160H

 

FRE160H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRE160H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO258AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRE160H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  intersil
 fre160.pdf pdf_icon

FRE160H

FRE160D, FRE160R,FRE160H41A, 100V, 0.050 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 41A, 100V, RDS(on) = 0.050TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FK25SM-6 , FK30SM-5 , FK30SM-6 , FK7KM-12 , FK7SM-12 , FK7UM-12 , FK7VS-12 , FRE160D , AON6414A , FRE160R , FRE260D , FRE260H , FRE260R , FRE264D , FRE264H , FRE264R , FRE460D .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.