Справочник MOSFET. 2SK512

 

2SK512 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK512
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SK512

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK512 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  hitachi
2sk512.pdfpdf_icon

2SK512

 ..2. Size:276K  inchange semiconductor
2sk512.pdfpdf_icon

2SK512

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK512FEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.65(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 9.2. Size:40K  hitachi
2sk511.pdfpdf_icon

2SK512

Другие MOSFET... 2SK439 , 2SK443 , 2SK444 , 2SK445 , 2SK447 , 2SK492 , 2SK494 , 2SK511 , STF13NM60N , 2SK522 , 2SK525 , 2SK526 , 2SK530 , 2SK531 , 2SK532 , AP4034AGM-HF , AP4034AGYT-HF .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | HGN080N10SL | 7409B | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.