2SK512 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK512
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для 2SK512
2SK512 Datasheet (PDF)
2sk512.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK512FEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.65(Max) @ V = 15VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi
2sk104 2sk105 2sk162 2sk163 2sk193 2sk195 2sk505 2sk507 2sk514 2sk518 2sk519 2sk523 2sk533 2sk660 2sk997 2sk998 2sk1000 2sk1109.pdf

Другие MOSFET... 2SK439 , 2SK443 , 2SK444 , 2SK445 , 2SK447 , 2SK492 , 2SK494 , 2SK511 , STF13NM60N , 2SK522 , 2SK525 , 2SK526 , 2SK530 , 2SK531 , 2SK532 , AP4034AGM-HF , AP4034AGYT-HF .
History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | HGN080N10SL | 7409B | QM3018D
History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | HGN080N10SL | 7409B | QM3018D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630