Справочник MOSFET. 2SK522

 

2SK522 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK522
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm
   Тип корпуса: SPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK522 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  hitachi
2sk522.pdfpdf_icon

2SK522

2SK522Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF amplifier, Mixer, local oscillatorOutlineSPAK1. Gate122. Source33. Drain2SK522Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temperature Tch 150 CStorage temperature T

 9.2. Size:133K  toshiba
2sk526.pdfpdf_icon

2SK522

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.3. Size:94K  toshiba
2sk525.pdfpdf_icon

2SK522

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CHT-SNMOS80 | RQK0608BQDQS | 30N06L-TF2-T | TSD16N25M | 9N80 | JFFC20N65C | WMO120N04TS

 

 
Back to Top

 


 
.