FRE160R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRE160R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO258AA
Аналог (замена) для FRE160R
FRE160R Datasheet (PDF)
fre160.pdf

FRE160D, FRE160R,FRE160H41A, 100V, 0.050 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 41A, 100V, RDS(on) = 0.050TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)
Другие MOSFET... FK30SM-5 , FK30SM-6 , FK7KM-12 , FK7SM-12 , FK7UM-12 , FK7VS-12 , FRE160D , FRE160H , IRF3710 , FRE260D , FRE260H , FRE260R , FRE264D , FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H .
History: RJK0629DPE | HFS5N50U
History: RJK0629DPE | HFS5N50U



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent