FRE160R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRE160R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO258AA

Аналог (замена) для FRE160R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRE160R даташит

 8.1. Size:48K  intersil
 fre160.pdf pdf_icon

FRE160R

FRE160D, FRE160R, FRE160H 41A, 100V, 0.050 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Package 41A, 100V, RDS(on) = 0.050 TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие IGBT... FK30SM-5, FK30SM-6, FK7KM-12, FK7SM-12, FK7UM-12, FK7VS-12, FRE160D, FRE160H, IRFB4227, FRE260D, FRE260H, FRE260R, FRE264D, FRE264H, FRE264R, FRE460D, FRE460H