AP40N03GS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP40N03GS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AP40N03GS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40N03GS даташит

 ..1. Size:126K  ape
 ap40n03gs.pdf pdf_icon

AP40N03GS

AP40N03GS RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOS FET Low Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 17m Fast Switching Characteristic ID 40A G D S TO-263 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

 6.1. Size:94K  ape
 ap40n03gp-hf.pdf pdf_icon

AP40N03GS

AP40N03GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 17m Fast Switching Characteristic ID 40A RoHS Compliant & Halogen-Free G TO-220 D S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 6.2. Size:95K  ape
 ap40n03gp.pdf pdf_icon

AP40N03GS

AP40N03GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 17m Fast Switching Characteristic ID 40A G D TO-220 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-r

 6.3. Size:97K  ape
 ap40n03gh-hf ap40n03gj-hf.pdf pdf_icon

AP40N03GS

AP40N03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOS FET Low Gate Charge BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m Fast Switching Characteristic ID 36A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4034GH-HF, AP4034GM-HF, AP4034GMT-HF, AP4034GYT-HF, AP4036AGYT-HF, AP4085I, AP4085W, AP40N03GP, AO3400A, AP40P03GH, AP40P03GI-HF, AP40P03GJ, AP40P03GP, AP40T03GH, AP40T03GI, AP40T03GJ, AP40T03GP