AP40P03GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP40P03GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP40P03GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40P03GJ даташит

 ..1. Size:809K  cn vbsemi
 ap40p03gj.pdf pdf_icon

AP40P03GJ

AP40P03GJ www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.07 at VGS = 10 V 53 100 % Rg Tested RoHS 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.09 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS TO-251 DC/DC Conversion D - System Power G S N-Channel MOSFET G D S To

 0.1. Size:216K  ape
 ap40p03gh-hf ap40p03gj-hf.pdf pdf_icon

AP40P03GJ

AP40P03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 28m Fast Switching Characteristic ID -30A G RoHS Compliant S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications an

 6.1. Size:95K  ape
 ap40p03gi-hf.pdf pdf_icon

AP40P03GJ

AP40P03GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 28m Fast Switching Characteristic ID -30A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugged

 6.2. Size:216K  ape
 ap40p03gh.pdf pdf_icon

AP40P03GJ

AP40P03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 28m Fast Switching Characteristic ID -30A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4034GYT-HF, AP4036AGYT-HF, AP4085I, AP4085W, AP40N03GP, AP40N03GS, AP40P03GH, AP40P03GI-HF, IRF1405, AP40P03GP, AP40T03GH, AP40T03GI, AP40T03GJ, AP40T03GP, AP40T03GS, AP40T10GH-HF, AP40T10GI-HF