AP40T10GP-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP40T10GP-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 105 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP40T10GP-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40T10GP-HF даташит

 ..1. Size:92K  ape
 ap40t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP40T10GP-HF

AP40T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 105V D Single Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 39A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 5.1. Size:146K  ape
 ap40t10gp.pdf pdf_icon

AP40T10GP-HF

AP40T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 105V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 39A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP40T10 series are from Advanced Power innova

 6.1. Size:55K  ape
 ap40t10gh-hf.pdf pdf_icon

AP40T10GP-HF

AP40T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 100V D Single Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 39A G RoHS Compliant S Description G D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with S TO-252(H) the best combination of fast switching, ru

 6.2. Size:93K  ape
 ap40t10gr.pdf pdf_icon

AP40T10GP-HF

AP40T10GR RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 100V D Single Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 40A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP40P03GP, AP40T03GH, AP40T03GI, AP40T03GJ, AP40T03GP, AP40T03GS, AP40T10GH-HF, AP40T10GI-HF, K2611, AP40T10GR, AP4224AGM, AP4224GM, AP4224LGM-HF, AP4226AGM, AP4226BGM-HF, AP4226GM, AP4228GM