AP4224GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP4224GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO8
AP4224GM Datasheet (PDF)
ap4224gm.pdf

AP4224GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 14mD1D1 Dual N MOSFET Package ID 10AG2 RoHS CompliantS2G1SO-8S1DescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast swit
ap4224gm-hf.pdf

AP4224GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 14mD1 Dual N MOSFET Package ID 10AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combinat
ap4224lgm-hf-pre.pdf

AP4224LGM-HFPreliminaryAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14mD1 Dual N MOSFET Package ID 10AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerD2D1with the best combination of
ap4224lgm.pdf

AP4224LGMHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 24mD1 Dual N MOSFET Package ID 7.1AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP4224 series are from Advanced Power innovated design andD2D1silicon process
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1001PTL | JMSH1001NTLQ | JMSH1001NTL | JMSH1001NS | JMSH1001NE7 | JMSH1001NE | JMSH1001NC | JMSH1001MTL | JMSH1001BTL | JMSH1001ATLQ | JMSH1001ATL | JMSH1001AE7Q | JMSH1001AE7 | JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ
Popular searches
tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096