AP4226AGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4226AGM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4226AGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4226AGM даташит

 ..1. Size:206K  ape
 ap4226agm.pdf pdf_icon

AP4226AGM

AP4226AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m D1 Dual N MOSFET Package ID 8.7A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 0.1. Size:94K  ape
 ap4226agm-hf.pdf pdf_icon

AP4226AGM

AP4226AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m Dual N MOSFET Package ID 8.7A Halogen Free & RoHS Compliant Product D2 D2 D1 Description D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G2 designer with the best combination of fast switching,

 8.1. Size:71K  ape
 ap4226gm.pdf pdf_icon

AP4226AGM

AP4226GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m D1 Dual N MOSFET Package ID 8.2A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bes

 8.2. Size:57K  ape
 ap4226gm-hf.pdf pdf_icon

AP4226AGM

AP4226GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m D1 Dual N MOSFET Package ID 8.2A G2 S2 RoHS Compliant G1 S1 SO-8 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP40T03GS, AP40T10GH-HF, AP40T10GI-HF, AP40T10GP-HF, AP40T10GR, AP4224AGM, AP4224GM, AP4224LGM-HF, AO4407A, AP4226BGM-HF, AP4226GM, AP4228GM, AP4230GM-HF, AP4232AGM, AP4232BGM-HF, AP4232GM-HF, AP42T03GP