AP4226BGM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4226BGM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4226BGM-HF
AP4226BGM-HF Datasheet (PDF)
ap4226bgm-hf.pdf
AP4226BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 11mD1 Fast Switching Characteristic ID 10.7AG2S2 Halogen Free & RoHS CompliantG1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe
ap4226agm.pdf
AP4226AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 18mD1 Dual N MOSFET Package ID 8.7AG2S2G1SO-8 S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized devic
ap4226agm-hf.pdf
AP4226AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m Dual N MOSFET Package ID 8.7A Halogen Free & RoHS Compliant ProductD2D2D1Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG2designer with the best combination of fast switching,
ap4226gm.pdf
AP4226GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 18mD1 Dual N MOSFET Package ID 8.2AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the bes
ap4226gm-hf.pdf
AP4226GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD2D2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 18mD1 Dual N MOSFET Package ID 8.2AG2S2 RoHS CompliantG1S1SO-8DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switchi
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918