AP4407GM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4407GM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4407GM-HF
AP4407GM-HF Datasheet (PDF)
ap4407gm-hf.pdf
AP4407GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Low On-resistance D RDS(ON) 14mD Fast Switching ID -10.7AG RoHS Compliant SSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized d
ap4407gm.pdf
AP4407GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET BVDSS -30V Simple Drive Requirement DD D RDS(ON) 14m Low On-resistance D ID -10.7A Fast Switching G RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8SDDescriptionAP4407 series are from Advanced Pow
ap4407gp-hf ap4407gs-hf.pdf
AP4407GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, rugge
ap4407gp ap4407gs.pdf
AP4407GS/PRoHS-compliat ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m Fast Switching Characteristic ID -50AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design,DS TO-263(
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918