AP4409GEM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4409GEM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4409GEM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4409GEM даташит

 ..1. Size:184K  ape
 ap4409gem.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409GEM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D D Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

 6.1. Size:155K  ape
 ap4409gep.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409GEP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m G Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4409 series are from Advanced Power innovat

 6.2. Size:122K  ape
 ap4409gep-hf.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409GEP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m G Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4409 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

 8.1. Size:182K  ape
 ap4409agem.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409AGEM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D D Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4232GM-HF, AP42T03GP, AP4405GM, AP4407GM-HF, AP4407GP, AP4407GS, AP4407I-HF, AP4409AGEM, IRF640, AP4409GEP-HF, AP4410AGM, AP4410GM, AP4411GM, AP4412GM, AP4413GM, AP4415GH, AP4415GJ