Справочник MOSFET. AP4409GEM

 

AP4409GEM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4409GEM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4409GEM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4409GEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ape
 ap4409gem.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409GEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -35VDDD Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device

 6.1. Size:155K  ape
 ap4409gep.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409GEP-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2mG Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4409 series are from Advanced Power innovat

 6.2. Size:122K  ape
 ap4409gep-hf.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409GEP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -35VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2mG Fast Switching Characteristic ID -80A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4409 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowe

 8.1. Size:182K  ape
 ap4409agem.pdf pdf_icon

AP4409GEM

AP4409AGEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -35VDDD Low On-resistance RDS(ON) 7.5m Fast Switching Characteristic ID -14.5AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4232GM-HF , AP42T03GP , AP4405GM , AP4407GM-HF , AP4407GP , AP4407GS , AP4407I-HF , AP4409AGEM , IRFP460 , AP4409GEP-HF , AP4410AGM , AP4410GM , AP4411GM , AP4412GM , AP4413GM , AP4415GH , AP4415GJ .

History: CEF12N6 | 2SK1330 | AP4410GM | AOB125A60L | BSH111 | AP50T10GP | SVG103R0NKL

 

 
Back to Top

 


 
.