Справочник MOSFET. AP4410AGM

 

AP4410AGM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4410AGM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4410AGM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4410AGM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
ap4410agm.pdfpdf_icon

AP4410AGM

AP4410AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Low On-resistance RDS(ON) 13.5mDD Fast Switching Characteristic ID 10AGSSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device d

 0.1. Size:54K  ape
ap4410agm-hf.pdfpdf_icon

AP4410AGM

AP4410AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Low On-resistance RDS(ON) 13.5mDD Fast Switching Characteristic ID 10AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of

 8.1. Size:89K  ape
ap4410m.pdfpdf_icon

AP4410AGM

AP4410MAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow On-Resistance BVDSS 30V DDFast Switching D RDS(ON) 13.5m DSimple Drive Requirement ID 10A GSSSO-8SDescriptionDDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugged

 8.2. Size:202K  ape
ap4410gm.pdfpdf_icon

AP4410AGM

AP4410GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VDD Fast Switching D RDS(ON) 13.5mD Simple Drive Requirement ID 10AGSSSO-8SDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-

Другие MOSFET... AP4405GM , AP4407GM-HF , AP4407GP , AP4407GS , AP4407I-HF , AP4409AGEM , AP4409GEM , AP4409GEP-HF , IRFP260N , AP4410GM , AP4411GM , AP4412GM , AP4413GM , AP4415GH , AP4415GJ , AP4415GM , AP4416GH .

History: AOU3N60 | 6N65KL-TN3-R | 2N7002KTB | FDZ7296 | BRCS3400MA | 2N65KL-TF2-T | LNH06R310

 

 
Back to Top

 


 
.