Справочник MOSFET. AP4413GM

 

AP4413GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4413GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4413GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ape
ap4413gm.pdfpdf_icon

AP4413GM

AP4413GMPb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -20V DDLow On-resistance D RDS(ON) 30m DFast Switching Characteristic ID -7.8A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the bes

 0.1. Size:95K  ape
ap4413gm-hf.pdfpdf_icon

AP4413GM

AP4413GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VDDD Low On-resistance RDS(ON) 30mD Fast Switching Characteristic ID -7.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4413GM

AP4411GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -30V DDLow On-resistance D RDS(ON) 25m DFast Switching ID -8.2A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 9.2. Size:67K  ape
ap4412gm.pdfpdf_icon

AP4413GM

AP4412GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 33mDD Fast Switching ID 7AG RoHS CompliantSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized devi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOB416 | AP4407GP | STH6N100 | P80NF55-08 | TDM31035 | CS1N80 | FQP4N20

 

 
Back to Top

 


 
.