AP4415GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4415GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP4415GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4415GJ даташит

 ..1. Size:99K  ape
ap4415gh ap4415gj.pdfpdf_icon

AP4415GJ

AP4415GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35V D Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24A G S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltage

 0.1. Size:101K  ape
ap4415gh-hf ap4415gj-hf.pdfpdf_icon

AP4415GJ

AP4415GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35V D Low On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID -24A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface G D S mount applications a

 7.1. Size:69K  ape
ap4415gm.pdfpdf_icon

AP4415GJ

AP4415GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -35V D D Low On-resistance D RDS(ON) 32m D Fast Switching Characteristic ID -7.3A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4415GJ

AP4411GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 25m D Fast Switching ID -8.2A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие IGBT... AP4409GEM, AP4409GEP-HF, AP4410AGM, AP4410GM, AP4411GM, AP4412GM, AP4413GM, AP4415GH, IRF3710, AP4415GM, AP4416GH, AP4417GH, AP4417GJ, AP4418GH, AP4418GJ, AP4419GH, AP4419GJ