AP4416GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4416GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP4416GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4416GH даташит

 ..1. Size:59K  ape
ap4416gh.pdfpdf_icon

AP4416GH

AP4416GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 35V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 45m Fast Switching Characteristic ID 20A G RoHS Compliant S Description G The TO-252 package is universally preferred for all commercial- D S TO-252(H) industrial surface mount applications an

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4416GH

AP4411GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 25m D Fast Switching ID -8.2A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 9.2. Size:67K  ape
ap4412gm.pdfpdf_icon

AP4416GH

AP4412GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 33m D D Fast Switching ID 7A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devi

 9.3. Size:95K  ape
ap4413gm-hf.pdfpdf_icon

AP4416GH

AP4413GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V D D D Low On-resistance RDS(ON) 30m D Fast Switching Characteristic ID -7.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие IGBT... AP4410AGM, AP4410GM, AP4411GM, AP4412GM, AP4413GM, AP4415GH, AP4415GJ, AP4415GM, AON6414A, AP4417GH, AP4417GJ, AP4418GH, AP4418GJ, AP4419GH, AP4419GJ, AP4420GH, AP4420GJ