Справочник MOSFET. AP4418GJ

 

AP4418GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4418GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4418GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ape
ap4418gh ap4418gj.pdfpdf_icon

AP4418GJ

AP4418GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 35VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 33AG RoHS CompliantSDescriptionGThe TO-252 package is universally preferred for all commercial- DSTO-252(H)industrial surface mount applications an

 9.1. Size:70K  ape
ap4411gm.pdfpdf_icon

AP4418GJ

AP4411GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -30V DDLow On-resistance D RDS(ON) 25m DFast Switching ID -8.2A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 9.2. Size:67K  ape
ap4412gm.pdfpdf_icon

AP4418GJ

AP4412GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 25VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 33mDD Fast Switching ID 7AG RoHS CompliantSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized devi

 9.3. Size:95K  ape
ap4413gm-hf.pdfpdf_icon

AP4418GJ

AP4413GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VDDD Low On-resistance RDS(ON) 30mD Fast Switching Characteristic ID -7.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AONS36316 | CSD17309Q3 | 4N65KG-T60-K | MRF5003 | IRFR120TR

 

 
Back to Top

 


 
.