AP4420GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4420GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP4420GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4420GJ даташит

 ..1. Size:93K  ape
ap4420gh ap4420gj.pdfpdf_icon

AP4420GJ

AP4420GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 35V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic G ID 52A S RoHS Compliant Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H

 9.1. Size:171K  ape
ap4423gm.pdfpdf_icon

AP4420GJ

AP4423GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low On-resistance RDS(ON) 15m D Fast Switching Characteristic ID -11A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP4423 series are from

 9.2. Size:60K  ape
ap4426gm-hf.pdfpdf_icon

AP4420GJ

AP4426GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 6.5m D Low On-resistance ID 16A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 9.3. Size:93K  ape
ap4429gm-hf.pdfpdf_icon

AP4420GJ

AP4429GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 35V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m D Fast Switching Characteristic ID 18A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

Другие IGBT... AP4416GH, AP4417GH, AP4417GJ, AP4418GH, AP4418GJ, AP4419GH, AP4419GJ, AP4420GH, IRF9540, AP4423GM-HF, AP4424AGM, AP4424GM, AP4425GM, AP4425GO, AP4426GM-HF, AP4427GM, AP4428GM