AP4429GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4429GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4429GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4429GM-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap4429gm-hf.pdf pdf_icon

AP4429GM-HF

AP4429GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 35V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 5m D Fast Switching Characteristic ID 18A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

 9.1. Size:171K  ape
 ap4423gm.pdf pdf_icon

AP4429GM-HF

AP4423GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low On-resistance RDS(ON) 15m D Fast Switching Characteristic ID -11A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP4423 series are from

 9.2. Size:60K  ape
 ap4426gm-hf.pdf pdf_icon

AP4429GM-HF

AP4426GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 6.5m D Low On-resistance ID 16A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 9.3. Size:118K  ape
 ap4425go.pdf pdf_icon

AP4429GM-HF

AP4425GO RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Small & Thin Package D BVDSS -20V S S D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 42m G S Capable of 1.8V Gate Drive ID -4.2A S TSSOP-8 D D Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the S designer with the best combination of fast switching, ru

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4423GM-HF, AP4424AGM, AP4424GM, AP4425GM, AP4425GO, AP4426GM-HF, AP4427GM, AP4428GM, K3569, AP4430GEM, AP4430GM-HF, AP4432GM, AP4433GM-HF, AP4434AGH-HF, AP4434AGM-HF, AP4434AGYT-HF, AP4434GH-HF