AP4435GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4435GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4435GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4435GM-HF даташит

 ..1. Size:202K  ape
 ap4435gm-hf.pdf pdf_icon

AP4435GM-HF

AP4435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low On-resistance RDS(ON) 20m D Fast Switching Characteristic ID -9A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 6.1. Size:54K  ape
 ap4435gm.pdf pdf_icon

AP4435GM-HF

AP4435GM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 20m D Fast Switching Characteristic ID -9A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device d

 6.2. Size:2937K  cn vbsemi
 ap4435gm.pdf pdf_icon

AP4435GM-HF

AP4435GM www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D

 7.1. Size:214K  ape
 ap4435gh ap4435gj.pdf pdf_icon

AP4435GM-HF

AP4435GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Lower On-resistance RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID -40A G S Description G The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial D S TO-252(H) surface mount applications and suited for low voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4433GM-HF, AP4434AGH-HF, AP4434AGM-HF, AP4434AGYT-HF, AP4434GH-HF, AP4434GM, AP4435GH-HF, AP4435GJ-HF, AON6380, AP4435GYT-HF, AP4436GM, AP4437GM-HF, AP4438AGM-HF, AP4438BGM-HF, AP4438CGM-HF, AP4438GM-HF, AP4438GSM-HF