Справочник MOSFET. FRE9160D

 

FRE9160D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRE9160D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 440 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO258AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRE9160D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:48K  intersil
 fre9160.pdf pdf_icon

FRE9160D

FRE9160D, FRE9160R,FRE9160H30A, -100V, 0.095 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 30A, -100V, RDS(on) = 0.095TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRE260H , FRE260R , FRE264D , FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , AON7408 , FRE9160H , FRE9160R , FRE9260D , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R .

History: ZVP2120GTC | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | SGSP577 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.