AP4506GEM-HF - описание и поиск аналогов

 

AP4506GEM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4506GEM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4(6) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100(220) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03(0.04) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4506GEM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4506GEM-HF даташит

 ..1. Size:117K  ape
ap4506gem-hf.pdfpdf_icon

AP4506GEM-HF

AP4506GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 30m D1 Fast Switching Performance ID 6.4A G2 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G1 SO-8 S1 RDS(ON) 40m Description ID -6A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

 5.1. Size:197K  ape
ap4506gem.pdfpdf_icon

AP4506GEM-HF

AP4506GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 N-CH BVDSS 30V Simple Drive Requirement D2 D1 RDS(ON) 30m Low On-resistance D1 ID 6.4A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 SO-8 S1 RDS(ON

 6.1. Size:116K  ape
ap4506geh-hf.pdfpdf_icon

AP4506GEM-HF

AP4506GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 6.2. Size:119K  ape
ap4506geh.pdfpdf_icon

AP4506GEM-HF

AP4506GEH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 S2 P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

Другие MOSFET... AP4502GM , AP4503AGEM-HF , AP4503AGM-HF , AP4503BGM-HF , AP4503BGO-HF , AP4503GM , AP4506GEH , AP4506GEH-HF , AON7403 , AP4509AGH-HF , AP4509AGM-HF , AP4509GM-HF , AP4511GD , AP4511GED-HF , AP4511GH , AP4511GH-A , AP4511GM-HF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.