FRE9260D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FRE9260D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO258AA
Аналог (замена) для FRE9260D
FRE9260D Datasheet (PDF)
fre9260.pdf

FRE9260D, FRE9260R,FRE9260H19A, -200V, 0.210 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 19A, -200V, RDS(on) = 0.210TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(SI)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
Другие MOSFET... FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , FRE9160H , FRE9160R , 8205A , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R .
History: QM2416K | QM0008D | CED21A2 | CEU14G04
History: QM2416K | QM0008D | CED21A2 | CEU14G04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet