Справочник MOSFET. FRE9260D

 

FRE9260D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRE9260D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO258AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRE9260D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:47K  intersil
 fre9260.pdf pdf_icon

FRE9260D

FRE9260D, FRE9260R,FRE9260H19A, -200V, 0.210 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 19A, -200V, RDS(on) = 0.210TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(SI)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , FRE9160H , FRE9160R , SPP20N60C3 , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R .

History: RS1E130GN | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | AP0903GYT | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.