AP4513GM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4513GM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 35 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.8(4.3) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 90(95) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036(0.068) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP4513GM-HF
AP4513GM-HF Datasheet (PDF)
ap4513gm-hf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP4513GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 36mD1D1 Fast Switching Performance ID 5.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON) 68mDescription ID -4.3AThe Advanced Power MOSFETs from A
ap4513gm.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP4513GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 36mD1D1 Fast Switching Performance ID 5.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON)
ap4513gh-a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP4513GH-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7AS1G1 P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 68mTO-252-4LDescription ID -5.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with
ap4513gh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP4513GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 42m Fast Switching Performance ID 10AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 75mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best
ap4513gd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AP4513GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 36mD1 PDIP-8 Package ID 5.8A RoHS Compliant G2 P-CH BVDSS -35VS2PDIP-8G1RDS(ON) 68mS1Description ID -4.3AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with t
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .