AP4513GM-HF - описание и поиск аналогов

 

AP4513GM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4513GM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8(4.3) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90(95) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036(0.068) Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4513GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4513GM-HF даташит

 ..1. Size:119K  ape
 ap4513gm-hf.pdf pdf_icon

AP4513GM-HF

AP4513GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 36m D1 D1 Fast Switching Performance ID 5.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 68m Description ID -4.3A The Advanced Power MOSFETs from A

 6.1. Size:200K  ape
 ap4513gm.pdf pdf_icon

AP4513GM-HF

AP4513GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 36m D1 D1 Fast Switching Performance ID 5.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON)

 7.1. Size:152K  ape
 ap4513gh-a.pdf pdf_icon

AP4513GM-HF

AP4513GH-A RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 68m TO-252-4L Description ID -5.5A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

 7.2. Size:168K  ape
 ap4513gh.pdf pdf_icon

AP4513GM-HF

AP4513GH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 42m Fast Switching Performance ID 10A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 75m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4511GD , AP4511GED-HF , AP4511GH , AP4511GH-A , AP4511GM-HF , AP4513GD , AP4513GH , AP4513GH-A , IRF3205 , AP4515GM , 2SK534 , 2SK536 , 2SK538 , 2SK539 , 2SK543 , 2SK544 , 2SK545 .

History: S-LBSS138WT1G | VS4620DP-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.