Справочник MOSFET. FRE9260H

 

FRE9260H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRE9260H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO258AA
 

 Аналог (замена) для FRE9260H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRE9260H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:47K  intersil
 fre9260.pdf pdf_icon

FRE9260H

FRE9260D, FRE9260R,FRE9260H19A, -200V, 0.210 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 19A, -200V, RDS(on) = 0.210TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(SI)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , FRE9160H , FRE9160R , FRE9260D , 12N60 , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D , FRF250H , FRF250R , FRF254D .

History: FK7UM-12 | FDP52N20

 

 
Back to Top

 


 
.